深入（c）加入1降低了77K下的光致发光强度。
当小分子作添加剂时，物联网领其高挥发性和高扩散系数可能使PSCs在极端条件下难以保持长期稳定性。域全用（H）MABr和MABr-PPP混合物的1HNMR光谱。
面进（B）对照组和PPP改进器件的正向和反向扫描中获得的J-V曲线。军深（G）对照组和PPP改性钙钛矿薄膜的XRD谱。深入（B）PPP聚合物与钙钛矿相互作用示意图。
物联网领研究成果以题为Efficientandstableinvertedperovskitesolarcellswithveryhighfillfactorsviaincorporationofstar-shapedpolymer发布在国际著名期刊ScienceAdvances上。图三、域全用光伏性能（A）PP改进PSCs的器件结构。
主持国家、面进省部级等各类项目10余项，面进授权国家发明专利19项，以第一作者或通讯作者在Sci.Adv.,NatureCommun.,Chem.Soc.Rev.,EnergyEnviron.Sci.,Adv.Mater.,Adv.Energy.Mater.,Adv.Funct.Mater.,等国际期刊上发表论文65篇，影响因子大于15的论文23篇，11篇文章被选为封面。
军深（E）对照组和PPP改进设备的20个PSCs的PCE直方图。如图1所示，深入在本高熵合金中，位错的钉扎可以使位错密度增加，从而提高了合金的位错贮存能力，有利于合金塑性的提高。
(d)L3与位错2在同一滑移平面上形成并扩展[1]. 2）CrCoNi中熵合金中层错驱动的相变FCC→HCP是一类重要的相变，物联网领已被很多研究者报道过，物联网领但其机理非常微妙，远未揭示清楚。非对称晶界包含由一系列位错，域全用其中位错的原子间距由倾斜的角度决定。
图3文献综述了不同剧烈塑性变形和粉末烧结法制备纯铜的屈服强度与导电性/热稳定性的关系，面进(a)屈服强度与电导率。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，军深投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。
